Austria a notificat Comisia Europeană cu privire la planul de a sprijini proiectul „Empowering Fab” al Infineon, care urmărește să permită producția de serie mare a dispozitivelor semiconductoare de putere pe bază de nitrură de galiu (GaN), a anunțat Comisia într-un comunicat publicat marți.
GaN este un material utilizat la fabricarea anumitor cipuri, care pot fi folosite în aplicații precum inteligența artificială, infrastructura energetică, mobilitatea electrică și robotica.
Potrivit Comisiei, proiectul se bazează pe capacitățile existente de producție a semiconductorilor de putere pe bază de GaN, pe plachete de 200 mm, la fabrica din Villach, și presupune trecerea la producția pe plachete mai mari, de 300 mm. Plachetele sunt discuri subțiri, utilizate la fabricarea semiconductorilor.
Comisia a descris instalația drept o premieră la nivelul Uniunii Europene, deoarece dispozitivele de putere pe bază de GaN sunt fabricate în prezent pe plachete cu diametrul de cel mult 200 mm, iar în bloc nu există capacități comparabile de producție a semiconductorilor de putere pe bază de GaN pe plachete de 300 mm.
Ajutorul va fi acordat sub forma unei subvenții directe, a precizat Comisia Europeană.
În cadrul acestei măsuri, Infineon s-a angajat să extindă colaborarea cu start-up-uri, întreprinderi mici și mijlocii, universități și instituții de cercetare, inclusiv prin asigurarea accesului la kituri hardware și software, precum și la facilitățile sale de laborator.
Compania s-a angajat, de asemenea, să dezvolte activități de educație și formare profesională și să împartă cu Austria eventualele profituri generate de proiect care depășesc estimările actuale.
O versiune neconfidențială a deciziei va fi publicată în registrul Comisiei Europene privind ajutoarele de stat, sub numărul de caz SA.113427, după soluționarea eventualelor aspecte legate de confidențialitate.
Citește și: Guvernul SUA investește 389 de milioane de dolari în patru producători de semiconductori